M624256-25E1
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M624256-25E1 - ST
型号:
M624256-25E1
品牌Logo:
品牌名称:
STMICROELECTRONICS [ ST ]
应用标签:
静态存储器光电二极管内存集成电路
文档大小:
9页 / 183K
产品描述:
256KX4 STANDARD SRAM, 25ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
  • 参数详情
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
零件包装代码
SOJ
包装说明
0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
针数
28
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.41
风险等级
5.59
最长访问时间
25 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-J28
JESD-609代码
e0
长度
17.935 mm
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
28
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX4
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ28,.44
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
3.68 mm
最大待机电流
0.001 A
最小待机电流
2 V
子类别
SRAMs
最大压摆率
0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1

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