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M5M418125AJ-7

更新时间： 2024-02-08 01:53:08

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	100K
描述
EDO DRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24

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M5M418125AJ-7 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ24/26,.34	针数：	24
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.92
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J24	JESD-609代码：	e0
长度：	17.15 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ24/26,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	座面最大高度：	3.55 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M5M418125AJ-7S	MITSUBISHI	EDO DRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24	获取价格
M5M418128AJ-5S	MITSUBISHI	Fast Page DRAM, 128KX8, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24	获取价格
M5M418128AJ-6	MITSUBISHI	Fast Page DRAM, 128KX8, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24	获取价格
M5M418128AJ-7	MITSUBISHI	Fast Page DRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24	获取价格
M5M418160BJ-6T	MITSUBISHI	Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42	获取价格
M5M418160BJ-7ST	MITSUBISHI	Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42	获取价格