M5M411665ATP1-5ST
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M5M411665ATP1-5ST - Mitsubishi Group
型号:
M5M411665ATP1-5ST
品牌Logo:
品牌名称:
MITSUBISHI [ Mitsubishi Group ]
应用标签:
动态存储器光电二极管内存集成电路
文档大小:
29页 / 895K
产品描述:
EDO DRAM, 64KX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42
  • 参数详情
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2,
针数
42
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.02
风险等级
5.84
Is Samacsys
N
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
50 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-PDSO-G42
长度
14.6 mm
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
42
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
64KX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态
Not Qualified
刷新周期
256
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
0.65 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
Base Number Matches
1

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