M58LT128GST1ZA5F
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M58LT128GST1ZA5F - ST
型号:
M58LT128GST1ZA5F
品牌Logo:
品牌名称:
STMICROELECTRONICS [ ST ]
应用标签:
闪存存储内存集成电路
文档大小:
98页 / 695K
产品描述:
128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
  • 参数详情
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
IHS 制造商
STMICROELECTRONICS
零件包装代码
BGA
包装说明
10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-64
针数
64
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.1.A
HTS代码
8542.32.00.51
风险等级
5.54
Is Samacsys
N
最长访问时间
110 ns
其他特性
ALSO OPERATES IN SYNC-REGISTERED MODE
启动块
TOP
命令用户界面
YES
通用闪存接口
YES
数据轮询
NO
JESD-30 代码
R-PBGA-B64
长度
13 mm
内存密度
134217728 bit
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
16
功能数量
1
部门数/规模
4,127
端子数量
64
字数
8388608 words
字数代码
8000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-25 °C
组织
8MX16
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TBGA
封装等效代码
BGA64,8X8,40
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE
页面大小
8 words
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
1.8,3/3.3 V
编程电压
1.8 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
部门规模
16K,64K
最大待机电流
0.000005 A
子类别
Flash Memories
最大压摆率
0.047 mA
最大供电电压 (Vsup)
2 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
40
切换位
NO
类型
NOR TYPE
宽度
10 mm
Base Number Matches
1

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