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M29W400T-120ZA6

更新时间： 2024-02-02 03:21:02

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	2477K
描述
512KX8 FLASH 2.7V PROM, 120ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, FBGA-48

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M29W400T-120ZA6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	FBGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	CONFG AS 256K X 16; TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	9 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,7	端子数量：	48
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.35 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

M29W400T-120ZA6 数据手册

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