Datasheet > M24C08-WMN1

M24C08-WMN1

更新时间： 2024-02-24 03:39:05

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
17页	342K
描述
1KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M24C08-WMN1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	0.150 INCH, PLASTIC, SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.31
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010DMMR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	4.9 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1KX8
输出特性：	OPEN-DRAIN	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	5e-7 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.001 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...17

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M24C08WMN1T	STMICROELECTRONICS	16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I2C Bus EEPROM	获取价格
M24C08-WMN3	STMICROELECTRONICS	16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I2C Bus EEPROM	获取价格
M24C08-WMN3/G	STMICROELECTRONICS	1KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8	获取价格
M24C08-WMN3/S	STMICROELECTRONICS	16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I2C Bus EEPROM	获取价格
M24C08-WMN3/W	STMICROELECTRONICS	16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I2C Bus EEPROM	获取价格
M24C08-WMN3G	STMICROELECTRONICS	16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I2C Bus EEPROM	获取价格