LM6121J/883 - National Semiconductor
- 型号：
- LM6121J/883
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 10页 / 288K
- 产品描述：
- High Speed Buffer
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
- 零件包装代码
- DIP
- 包装说明
- DIP, DIP8,.3
- 针数
- 8
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.33.00.01
- 风险等级
- 5.91
- 放大器类型
- BUFFER
- 最大平均偏置电流 (IIB)
- 7 µA
- 标称带宽 (3dB)
- 50 MHz
- 25C 时的最大偏置电流 (IIB)
- 4 µA
- 最大输入失调电压
- 50000 µV
- JESD-30 代码
- R-GDIP-T8
- JESD-609代码
- e0
- 负供电电压上限
- -18 V
- 标称负供电电压 (Vsup)
- -15 V
- 功能数量
- 1
- 端子数量
- 8
- 最高工作温度
- 125 °C
- 最低工作温度
- -55 °C
- 封装主体材料
- CERAMIC, GLASS-SEALED
- 封装代码
- DIP
- 封装等效代码
- DIP8,.3
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- IN-LINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 电源
- +-15 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 筛选级别
- MIL-STD-883
- 座面最大高度
- 5.08 mm
- 最小摆率
- 550 V/us
- 标称压摆率
- 1200 V/us
- 子类别
- Buffer Amplifiers
- 最大压摆率
- 20 mA
- 供电电压上限
- 18 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 15 V
- 表面贴装
- NO
- 技术
- BIPOLAR
- 温度等级
- MILITARY
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子节距
- 2.54 mm
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 宽度
- 7.62 mm
- Base Number Matches
- 1
