Datasheet > KMM466F124BT1-L6

KMM466F124BT1-L6

更新时间： 2024-01-08 06:01:13

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KMM466F124BT1-L6 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN /SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N144	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM144,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	25.4 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.0008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.6 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KMM466F203BS1-L5	SAMSUNG	EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144	获取价格
KMM466F203BS-L6	SAMSUNG	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-144	获取价格
KMM466F203CS1-L5	SAMSUNG	EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, PDMA144	获取价格
KMM466F203CS2-L6	SAMSUNG	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144	获取价格
KMM466F213BS1-L5	SAMSUNG	EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144	获取价格
KMM466F213BS1-L6	SAMSUNG	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144	获取价格