K6T0808U1D-TF70T - SAMSUNG
- 型号：
- K6T0808U1D-TF70T
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- SAMSUNG [ SAMSUNG ]
- 文档大小：
- 9页 / 152K
- 产品描述：
- Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- 包装说明
- TSSOP, TSSOP28,.53,22
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.88
- 最长访问时间
- 70 ns
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G28
- JESD-609代码
- e0
- 内存密度
- 262144 bit
- 内存集成电路类型
- STANDARD SRAM
- 内存宽度
- 8
- 端子数量
- 28
- 字数
- 32768 words
- 字数代码
- 32000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 32KX8
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TSSOP
- 封装等效代码
- TSSOP28,.53,22
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
- 并行/串行
- PARALLEL
- 电源
- 3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 最小待机电流
- 2 V
- 子类别
- SRAMs
- 最大压摆率
- 0.035 mA
- 标称供电电压 (Vsup)
- 3 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 0.55 mm
- 端子位置
- DUAL
- Base Number Matches
- 1
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