K4T1G164QD-ZCE70 - SAMSUNG
- 型号：
- K4T1G164QD-ZCE70
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- SAMSUNG [ SAMSUNG ]
- 文档大小：
- 46页 / 962K
- 产品描述：
- DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Obsolete
- 零件包装代码
- BGA
- 包装说明
- TFBGA, BGA84,9X15,32
- 针数
- 84
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.32
- 风险等级
- 5.69
- 访问模式
- MULTI BANK PAGE BURST
- 最长访问时间
- 0.4 ns
- 其他特性
- AUTO/SELF REFRESH
- 最大时钟频率 (fCLK)
- 400 MHz
- I/O 类型
- COMMON
- 交错的突发长度
- 4,8
- JESD-30 代码
- R-PBGA-B84
- 长度
- 13 mm
- 内存密度
- 1073741824 bit
- 内存集成电路类型
- DDR DRAM
- 内存宽度
- 16
- 功能数量
- 1
- 端口数量
- 1
- 端子数量
- 84
- 字数
- 67108864 words
- 字数代码
- 64000000
- 工作模式
- SYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 95 °C
- 最低工作温度
- 组织
- 64MX16
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TFBGA
- 封装等效代码
- BGA84,9X15,32
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- 电源
- 1.8 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 刷新周期
- 8192
- 座面最大高度
- 1.2 mm
- 自我刷新
- YES
- 连续突发长度
- 4,8
- 最大待机电流
- 0.015 A
- 子类别
- DRAMs
- 最大压摆率
- 0.28 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 1.9 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 1.7 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 1.8 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- OTHER
- 端子形式
- BALL
- 端子节距
- 0.8 mm
- 端子位置
- BOTTOM
- 宽度
- 9 mm
- Base Number Matches
- 1
