K4T1G164QA-ZCE6 - SAMSUNG
- 型号：
- K4T1G164QA-ZCE6
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- SAMSUNG [ SAMSUNG ]
- 文档大小：
- 28页 / 612K
- 产品描述：
- 1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- 包装说明
- FBGA, BGA84,9X15,32
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.84
- 最长访问时间
- 0.45 ns
- 最大时钟频率 (fCLK)
- 333 MHz
- I/O 类型
- COMMON
- 交错的突发长度
- 4,8
- JESD-30 代码
- R-PBGA-B84
- 内存密度
- 1073741824 bit
- 内存集成电路类型
- DDR DRAM
- 内存宽度
- 16
- 端子数量
- 84
- 字数
- 67108864 words
- 字数代码
- 64000000
- 组织
- 64MX16
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- FBGA
- 封装等效代码
- BGA84,9X15,32
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- GRID ARRAY, FINE PITCH
- 电源
- 1.8 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 刷新周期
- 8192
- 连续突发长度
- 4,8
- 最大待机电流
- 0.015 A
- 子类别
- DRAMs
- 最大压摆率
- 0.35 mA
- 标称供电电压 (Vsup)
- 1.8 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 端子形式
- BALL
- 端子节距
- 0.8 mm
- 端子位置
- BOTTOM
- Base Number Matches
- 1
