K4H510438C-UCA2 - SAMSUNG
- 型号：
- K4H510438C-UCA2
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- SAMSUNG [ SAMSUNG ]
- 文档大小：
- 24页 / 366K
- 产品描述：
- 512Mb C-die DDR SDRAM Specification
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Obsolete
- 包装说明
- TSSOP, TSSOP66,.46
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.56
- 最长访问时间
- 0.75 ns
- 最大时钟频率 (fCLK)
- 133 MHz
- I/O 类型
- COMMON
- 交错的突发长度
- 2,4,8
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G66
- JESD-609代码
- e3
- 内存密度
- 536870912 bit
- 内存集成电路类型
- DDR DRAM
- 内存宽度
- 4
- 湿度敏感等级
- 1
- 端子数量
- 66
- 字数
- 134217728 words
- 字数代码
- 128000000
- 最高工作温度
- 70 °C
- 最低工作温度
- 组织
- 128MX4
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TSSOP
- 封装等效代码
- TSSOP66,.46
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 225
- 电源
- 2.5 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 刷新周期
- 8192
- 连续突发长度
- 2,4,8
- 最大待机电流
- 0.005 A
- 子类别
- DRAMs
- 最大压摆率
- 0.325 mA
- 标称供电电压 (Vsup)
- 2.5 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- COMMERCIAL
- 端子面层
- MATTE TIN
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 0.635 mm
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- Base Number Matches
- 1
