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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘以栅极电荷),最大限度地降低传导和开关损耗。 该系列产品表现出业内最低的导通电阻。 凭借较低的反向恢复电荷
开关 栅 栅极
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
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