IXFB80N50Q2 - IXYS CORPORATION
- 型号：
- IXFB80N50Q2
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 2页 / 169K
- 产品描述：
- HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Not Recommended
- IHS 制造商
- LITTELFUSE INC
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Reach Compliance Code
- compliant
- 风险等级
- 5.75
- 其他特性
- AVALANCHE RATED
- 雪崩能效等级（Eas）
- 5000 mJ
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 500 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 80 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 80 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.06 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- TO-264AA
- JESD-30 代码
- R-PSFM-T3
- JESD-609代码
- e1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 最低工作温度
- -55 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 960 W
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 320 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- FET General Purpose Power
- 表面贴装
- NO
- 端子面层
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
相关文档
-
4页
-
5页
-
5页