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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | 最大集电极电流 (IC)： | 14 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 最大降落时间（tf）： | 300 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 7.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| ITH08F06G | MITEL | HIGH - SPEED POWERLINE N - CHANNEL IGBT |
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| ITH13C06A | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 23A I(C) | TO-263AA |
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| ITH13C06B | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 23A I(C) | TO-220AB |
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| ITH13C06J | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 23A I(C) | TO-268 |
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| ITH13C06P | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 23A I(C) | TO-247 |
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| ITH13F06B | MICROSEMI | Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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