IS93C56-3P
IS93C56-3P PDF预览
IS93C56-3P - INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC
型号:
IS93C56-3P
品牌Logo:
品牌名称:
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
应用标签:
存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
文档大小:
10页 / 85K
产品描述:
2,048-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM
  • 参数详情
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP8,.3
针数
8
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.51
风险等级
5.91
其他特性
AUTOMATIC WRITE
最大时钟频率 (fCLK)
1 MHz
数据保留时间-最小值
10
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PDIP-T8
JESD-609代码
e0
长度
9.3218 mm
内存密度
2048 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
16
功能数量
1
端子数量
8
字数
128 words
字数代码
128
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
128X16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3/5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
4.572 mm
串行总线类型
MICROWIRE
最大待机电流
0.00001 A
子类别
EEPROMs
最大压摆率
0.006 mA
最大供电电压 (Vsup)
6 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)
10 ms
写保护
SOFTWARE
Base Number Matches
1

相关文档

Copyright © 2019 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved.

版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

电脑版

一键下载

获取价格

我要报错