IS41C4100-60J - INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC
- 型号：
- IS41C4100-60J
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 19页 / 145K
- 产品描述：
- 1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
- 零件包装代码
- SOJ
- 包装说明
- SOJ, SOJ20/26,.34
- 针数
- 20
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.02
- 风险等级
- 5.92
- Is Samacsys
- N
- 访问模式
- FAST PAGE WITH EDO
- 最长访问时间
- 60 ns
- 其他特性
- RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-PDSO-J20
- JESD-609代码
- e0
- 长度
- 17.145 mm
- 内存密度
- 4194304 bit
- 内存集成电路类型
- EDO DRAM
- 内存宽度
- 4
- 功能数量
- 1
- 端口数量
- 1
- 端子数量
- 20
- 字数
- 1048576 words
- 字数代码
- 1000000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 1MX4
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- SOJ
- 封装等效代码
- SOJ20/26,.34
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 电源
- 5 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 刷新周期
- 1024
- 座面最大高度
- 3.556 mm
- 自我刷新
- NO
- 最大待机电流
- 0.001 A
- 子类别
- DRAMs
- 最大压摆率
- 0.075 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 5.5 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 4.5 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 5 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- J BEND
- 端子节距
- 1.27 mm
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 宽度
- 7.62 mm
- Base Number Matches
- 1
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