IS41C4100-35J - INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC
- 型号：
- IS41C4100-35J
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 19页 / 145K
- 产品描述：
- 1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Transferred
- 包装说明
- TSOP, TSOP20/26,.36
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.83
- 最长访问时间
- 35 ns
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G20
- JESD-609代码
- e0
- 内存密度
- 4194304 bit
- 内存集成电路类型
- EDO DRAM
- 内存宽度
- 4
- 端子数量
- 20
- 字数
- 1048576 words
- 字数代码
- 1000000
- 最高工作温度
- 70 °C
- 最低工作温度
- 组织
- 1MX4
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TSOP
- 封装等效代码
- TSOP20/26,.36
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- 电源
- 5 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 刷新周期
- 1024
- 自我刷新
- NO
- 最大待机电流
- 0.001 A
- 子类别
- DRAMs
- 最大压摆率
- 0.11 mA
- 标称供电电压 (Vsup)
- 5 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- COMMERCIAL
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 1.27 mm
- 端子位置
- DUAL
- Base Number Matches
- 1
