- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Transferred
- IHS 制造商
- INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- 零件包装代码
- D2PAK
- 包装说明
- LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
- 针数
- 3
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.29.00.95
- 风险等级
- 5.25
- 其他特性
- AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
- 雪崩能效等级（Eas）
- 120 mJ
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 100 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 36 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 36 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.0265 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- TO-263AB
- JESD-30 代码
- R-PSSO-G2
- JESD-609代码
- e3
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 175 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 92 W
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 140 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- FET General Purpose Powers
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 30
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
