IRF3707ZPBF - Infineon
- 型号：
- IRF3707ZPBF
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- INFINEON [ Infineon ]
- 文档大小：
- 12页 / 277K
- 产品描述：
- HEXFET Power MOSFET
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- 包装说明
- LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.66
- 雪崩能效等级（Eas）
- 40 mJ
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 30 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 42 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.0095 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-PSSO-G2
- JESD-609代码
- e3
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 230 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- MATTE TIN OVER NICKEL
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 30
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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IRF3707ZSTRL
Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
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