HY5Y5A6DSF-SF
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HY5Y5A6DSF-SF - HYNIX SEMICONDUCTOR
型号:
HY5Y5A6DSF-SF
品牌Logo:
品牌名称:
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
应用标签:
时钟动态存储器内存集成电路
文档大小:
23页 / 386K
产品描述:
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54
  • 参数详情
生命周期
Obsolete
包装说明
FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code
compliant
风险等级
5.84
最长访问时间
7 ns
最大时钟频率 (fCLK)
105 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
1,2,4,8
JESD-30 代码
S-PBGA-B54
内存密度
268435456 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
16
端子数量
54
字数
16777216 words
字数代码
16000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
-25 °C
组织
16MX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
FBGA
封装等效代码
BGA54,9X9,32
封装形状
SQUARE
封装形式
GRID ARRAY, FINE PITCH
电源
3/3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.00035 A
子类别
DRAMs
最大压摆率
0.165 mA
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
Base Number Matches
1

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