HY5V66EF6 - HYNIX SEMICONDUCTOR
- 型号：
- HY5V66EF6
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 动态存储器
- 文档大小：
- 12页 / 220K
- 产品描述：
- 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- SK HYNIX INC
- 零件包装代码
- BGA
- 包装说明
- TFBGA, BGA60,7X15,25
- 针数
- 60
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.02
- 风险等级
- 5.84
- Is Samacsys
- N
- 访问模式
- FOUR BANK PAGE BURST
- 最长访问时间
- 5.5 ns
- 其他特性
- AUTO/SELF REFRESH
- 最大时钟频率 (fCLK)
- 100 MHz
- I/O 类型
- COMMON
- 交错的突发长度
- 1,2,4,8
- JESD-30 代码
- R-PBGA-B60
- JESD-609代码
- e1
- 长度
- 10.1 mm
- 内存密度
- 67108864 bit
- 内存集成电路类型
- SYNCHRONOUS DRAM
- 内存宽度
- 16
- 功能数量
- 1
- 端口数量
- 1
- 端子数量
- 60
- 字数
- 4194304 words
- 字数代码
- 4000000
- 工作模式
- SYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 70 °C
- 最低工作温度
- 组织
- 4MX16
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TFBGA
- 封装等效代码
- BGA60,7X15,25
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 电源
- 3.3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 刷新周期
- 4096
- 座面最大高度
- 1.1 mm
- 自我刷新
- YES
- 连续突发长度
- 1,2,4,8,FP
- 最大待机电流
- 0.002 A
- 子类别
- DRAMs
- 最大压摆率
- 0.1 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 3.6 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 3 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 3.3 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- COMMERCIAL
- 端子面层
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 端子形式
- BALL
- 端子节距
- 0.65 mm
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 20
- 宽度
- 6.4 mm
- Base Number Matches
- 1
相关文档
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14页
HY5V66EF-6
Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-54
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