HY57V561620LT-H - HYNIX SEMICONDUCTOR
- 型号：
- HY57V561620LT-H
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 13页 / 153K
- 产品描述：
- 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
- 参数详情
- 生命周期
- Obsolete
- 零件包装代码
- TSOP2
- 包装说明
- TSOP2, TSOP54,.46,32
- 针数
- 54
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.24
- 风险等级
- 5.3
- 访问模式
- FOUR BANK PAGE BURST
- 最长访问时间
- 6 ns
- 其他特性
- AUTO/SELF REFRESH
- 最大时钟频率 (fCLK)
- 100 MHz
- I/O 类型
- COMMON
- 交错的突发长度
- 1,2,4,8
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G54
- JESD-609代码
- e6
- 长度
- 22.22 mm
- 内存密度
- 268435456 bit
- 内存集成电路类型
- SYNCHRONOUS DRAM
- 内存宽度
- 16
- 功能数量
- 1
- 端口数量
- 1
- 端子数量
- 54
- 字数
- 16777216 words
- 字数代码
- 16000000
- 工作模式
- SYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 16MX16
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TSOP2
- 封装等效代码
- TSOP54,.46,32
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- 电源
- 3.3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 刷新周期
- 8192
- 座面最大高度
- 1.2 mm
- 自我刷新
- YES
- 连续突发长度
- 1,2,4,8,FP
- 最大待机电流
- 0.002 A
- 子类别
- DRAMs
- 最大压摆率
- 0.25 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 3.6 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 3 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 3.3 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子面层
- TIN BISMUTH
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 0.8 mm
- 端子位置
- DUAL
- 宽度
- 10.16 mm
- Base Number Matches
- 1
