HM5113805FTD-6 - HITACHI SEMICONDUCTOR
- 型号：
- HM5113805FTD-6
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 34页 / 469K
- 产品描述：
- 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Transferred
- 零件包装代码
- TSOP2
- 包装说明
- TSOP2, TSOP32,.46
- 针数
- 32
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.02
- 风险等级
- 5.47
- Is Samacsys
- N
- 访问模式
- EDO PAGE
- 最长访问时间
- 60 ns
- 其他特性
- RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G32
- JESD-609代码
- e0
- 长度
- 20.95 mm
- 内存密度
- 134217728 bit
- 内存集成电路类型
- EDO DRAM
- 内存宽度
- 8
- 功能数量
- 1
- 端口数量
- 1
- 端子数量
- 32
- 字数
- 16777216 words
- 字数代码
- 16000000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 70 °C
- 最低工作温度
- 组织
- 16MX8
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TSOP2
- 封装等效代码
- TSOP32,.46
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- 电源
- 3.3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 刷新周期
- 4096
- 座面最大高度
- 1.2 mm
- 自我刷新
- NO
- 最大待机电流
- 0.001 A
- 子类别
- DRAMs
- 最大压摆率
- 0.22 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 3.6 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 3 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 3.3 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- COMMERCIAL
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 1.27 mm
- 端子位置
- DUAL
- 宽度
- 10.16 mm
- Base Number Matches
- 1
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