GM76V256CLLE-85 - HYNIX SEMICONDUCTOR
- 型号：
- GM76V256CLLE-85
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 10页 / 136K
- 产品描述：
- Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
- 参数详情
- 是否无铅
- 含铅
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- 零件包装代码
- DIP
- 包装说明
- DIP, DIP28,.6
- 针数
- 28
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.41
- 风险等级
- 5.84
- 最长访问时间
- 85 ns
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-PDIP-T28
- 长度
- 37.008 mm
- 内存密度
- 262144 bit
- 内存集成电路类型
- STANDARD SRAM
- 内存宽度
- 8
- 功能数量
- 1
- 端子数量
- 28
- 字数
- 32768 words
- 字数代码
- 32000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -25 °C
- 组织
- 32KX8
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- DIP
- 封装等效代码
- DIP28,.6
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- IN-LINE
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 电源
- 3.3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 座面最大高度
- 4.826 mm
- 最小待机电流
- 2 V
- 子类别
- SRAMs
- 最大压摆率
- 0.035 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 3.6 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 3 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 3.3 V
- 表面贴装
- NO
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- OTHER
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子节距
- 2.54 mm
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 宽度
- 15.24 mm
- Base Number Matches
- 1
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