GM76U256CLET-10
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GM76U256CLET-10 - HYNIX SEMICONDUCTOR
型号:
GM76U256CLET-10
品牌Logo:
品牌名称:
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
应用标签:
内存集成电路静态存储器光电二极管
文档大小:
11页 / 175K
产品描述:
x8 SRAM
  • 参数详情
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Transferred
Reach Compliance Code
unknown
风险等级
5.84
Is Samacsys
N
最长访问时间
100 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G28
JESD-609代码
e0
内存密度
262144 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
端子数量
28
字数
32768 words
字数代码
32000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-25 °C
组织
32KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSSOP
封装等效代码
TSSOP28,.53,22
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行
PARALLEL
电源
3 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.00002 A
最小待机电流
2 V
子类别
SRAMs
最大压摆率
0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.55 mm
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1

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版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

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