GM71V18163CT-7
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GM71V18163CT-7 - HYNIX SEMICONDUCTOR
型号:
GM71V18163CT-7
品牌Logo:
品牌名称:
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
应用标签:
存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文档大小:
11页 / 115K
产品描述:
x16 EDO Page Mode DRAM
  • 参数详情
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数
50
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.02
风险等级
5.76
Is Samacsys
N
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
70 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G44
JESD-609代码
e0
长度
20.95 mm
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
44
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装等效代码
TSOP44/50,.46,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
NO
最大待机电流
0.001 A
子类别
DRAMs
最大压摆率
0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1

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