GM71V18163CLT-6
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GM71V18163CLT-6 - HYNIX SEMICONDUCTOR
型号:
GM71V18163CLT-6
品牌Logo:
品牌名称:
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
应用标签:
动态存储器光电二极管内存集成电路
文档大小:
11页 / 348K
产品描述:
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
  • 参数详情
生命周期
Obsolete
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2,
针数
50
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.02
风险等级
5.26
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
60 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH
JESD-30 代码
R-PDSO-G44
JESD-609代码
e6
长度
20.95 mm
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
44
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX16
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN BISMUTH
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1

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