GM71CS18163CLT-5 - HYNIX SEMICONDUCTOR
- 型号：
- GM71CS18163CLT-5
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 动态存储器
- 文档大小：
- 11页 / 114K
- 产品描述：
- x16 EDO Page Mode DRAM
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.78
- 访问模式
- FAST PAGE WITH EDO
- 最长访问时间
- 50 ns
- 其他特性
- RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G44
- JESD-609代码
- e0
- 内存密度
- 16777216 bit
- 内存集成电路类型
- EDO DRAM
- 内存宽度
- 16
- 功能数量
- 1
- 端口数量
- 1
- 端子数量
- 44
- 字数
- 1048576 words
- 字数代码
- 1000000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 70 °C
- 最低工作温度
- 组织
- 1MX16
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TSOP
- 封装等效代码
- TSOP44/50,.46,32
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 电源
- 5 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 刷新周期
- 1024
- 自我刷新
- YES
- 最大待机电流
- 0.00015 A
- 子类别
- DRAMs
- 最大压摆率
- 0.19 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 5.5 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 4.5 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 5 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- COMMERCIAL
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 0.8 mm
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- Base Number Matches
- 1
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