GM71C18163CT-6DR - HYNIX SEMICONDUCTOR
- 型号：
- GM71C18163CT-6DR
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 11页 / 349K
- 产品描述：
- EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
- 参数详情
- 生命周期
- Active
- 包装说明
- TSOP2,
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.02
- 风险等级
- 5.69
- 访问模式
- FAST PAGE WITH EDO
- 最长访问时间
- 60 ns
- 其他特性
- RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G44
- 长度
- 20.95 mm
- 内存密度
- 16777216 bit
- 内存集成电路类型
- EDO DRAM
- 内存宽度
- 16
- 功能数量
- 1
- 端口数量
- 1
- 端子数量
- 44
- 字数
- 1048576 words
- 字数代码
- 1000000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 70 °C
- 最低工作温度
- 组织
- 1MX16
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TSOP2
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- 座面最大高度
- 1.2 mm
- 最大供电电压 (Vsup)
- 5.5 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 4.5 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 5 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- COMMERCIAL
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 0.8 mm
- 端子位置
- DUAL
- 宽度
- 10.16 mm
- Base Number Matches
- 1
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