FQD11P06TF - FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
- 型号：
- FQD11P06TF
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 文档大小：
- 9页 / 617K
- 产品描述：
- Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE, DPAK-3
- 参数详情
- Brand Name
- ON Semiconductor
- 是否无铅
- 不含铅
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- ON SEMICONDUCTOR
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- 制造商包装代码
- 369AS
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.29.00.95
- Factory Lead Time
- 1 week
- 风险等级
- 0.77
- Samacsys Description
- FQD11P06TM P-Channel MOSFET, 9.4 A, 60 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
- 雪崩能效等级（Eas）
- 160 mJ
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 60 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 9.4 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 9.4 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.185 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JEDEC-95代码
- TO-252
- JESD-30 代码
- R-PSSO-G2
- JESD-609代码
- e3
- 湿度敏感等级
- 1
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 2
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- P-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 38 W
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 37.6 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- Other Transistors
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- Tin (Sn)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
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FQD11P06TM_SB82077
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE, DPAK-3
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