FLL800IQ-2C - FUJITSU
- 型号：
- FLL800IQ-2C
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- FUJITSU [ FUJITSU ]
- 文档大小：
- 4页 / 123K
- 产品描述：
- RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, CASE IQ, 5 PIN
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Obsolete
- 包装说明
- FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
- 针数
- 4
- 制造商包装代码
- CASE IQ
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.27
- Is Samacsys
- N
- 其他特性
- HIGH RELIABILITY
- 外壳连接
- SOURCE
- 配置
- SINGLE
- 最小漏源击穿电压
- 15 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 15 A
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最高频带
- S BAND
- JESD-30 代码
- R-CDFM-F4
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 4
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- YES
- 端子形式
- FLAT
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- AMPLIFIER
- 晶体管元件材料
- GALLIUM ARSENIDE
- Base Number Matches
- 1
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