F1108 - POLYFET RF DEVICES
- 型号：
- F1108
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 2页 / 44K
- 产品描述：
- PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Contact Manufacturer
- 包装说明
- ,
- Reach Compliance Code
- unknown
- 风险等级
- 5.74
- 配置
- Single
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 8 A
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 200 °C
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 子类别
- FET General Purpose Power
- Base Number Matches
- 1
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