ESA2UN3214B-60TS-S
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ESA2UN3214B-60TS-S - FUJITSU
型号:
ESA2UN3214B-60TS-S
品牌Logo:
品牌名称:
FUJITSU [ FUJITSU ]
应用标签:
动态存储器内存集成电路
文档大小:
7页 / 348K
产品描述:
EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, PSMA72
  • 参数详情
生命周期
Obsolete
包装说明
SIMM, SSIM72
Reach Compliance Code
unknown
风险等级
5.84
最长访问时间
60 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PSMA-N72
内存密度
67108864 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM MODULE
内存宽度
32
端子数量
72
字数
2097152 words
字数代码
2000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
2MX32
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SIMM
封装等效代码
SSIM72
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
座面最大高度
25.4 mm
自我刷新
NO
最大待机电流
0.004 A
子类别
DRAMs
最大压摆率
0.244 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
SINGLE
Base Number Matches
1

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