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EGF1T

更新时间： 2024-01-24 16:51:13

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台芯 - TAYCHIPST		二极管光电二极管
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描述
Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier

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EGF1T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214BA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214BA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1300 V	最大反向恢复时间：	0.075 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

EGF1T 数据手册

EGF1T

1300V 1.0A

Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier

FEATURES

• Cavity-free glass-passivated junction

• Ideal for automated placement

• Ultrafast reverse recovery time

• Low switching losses, high efficiency

• Avalanche surge energy capability

• Meets environmental standard MIL-S-19500

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 250 °C

• Solder dip 260 °C, 40 s

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

MECHANICAL DATA

Case: DO-214BA, molded plastic over glass body

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class

1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade

(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2

whisker test

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

EGF1T

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

1300

910

Maximum DC blocking

1300

1.0

Maximum average forward rectified current

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Non-repetitive avalanche energy at T_A= 25 °C, I_AS= 1 A, L = 30 mH

Operating junction and storage temperature range

E_AS

T_J, T_STG

- 55 to + 150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)

TEST CONDITIONS

PARAMETER

Maximum instantaneous forward voltage ⁽¹⁾

SYMBOL

EGF1T

UNIT

T_J= 25 °C

1.0 A

V_F

3.0

T_J= 25 °C

T_J= 125 °C

5.0

Maximum DC reverse current ⁽²⁾

V_RM

I_R

µA

I_F= 0.5 A, I_R=1.0 A,

I_rr= 0.25 A

Typical reverse recovery time

Typical junction capacitance

t_rr

4.0 V, 1 MHz

C_J

8.0

Notes:

(1) Pulse test: 300 µs pulse width, 1 % duty cycle

(2) Pulse test: Pulse width ≤ 40 ms

THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

EGF1T

UNIT

R_θJA

R_θJL

Typical thermal resistance ⁽¹⁾

°C/W

Note:

(1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead, P.C.B. mounted on 0.95 x 0.95" (24 x 24 mm) copper pad areas

1 of 2

E-mail: sales@taychipst.com

Web Site: www.taychipst.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EGF1T_11	VISHAY	Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier	获取价格
EGF1TE3	VISHAY	DIODE 1 A, 1300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal	获取价格
EGF1T-E3	VISHAY	DIODE 1 A, 1300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal	获取价格
EGF1T-E3/5CA	VISHAY	Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier	获取价格
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