EDI88130LP85NI
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EDI88130LP85NI - ETC
型号:
EDI88130LP85NI
品牌Logo:
品牌名称:
ETC [ ETC ]
应用标签:
内存集成电路静态存储器
文档大小:
8页 / 151K
产品描述:
128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598
  • 参数详情
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Transferred
IHS 制造商
ELECTRONIC DESIGNS INC
Reach Compliance Code
unknown
风险等级
5.66
Is Samacsys
N
最长访问时间
85 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-CZIP-T32
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
32
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
128KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
ZIP
封装等效代码
ZIP32,.1
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.0004 A
最小待机电流
2 V
子类别
SRAMs
最大压摆率
0.095 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
1.27 mm
端子位置
ZIG-ZAG
Base Number Matches
1

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