EBE21UE8ACUA-8E-E - ELPIDA MEMORY
- 型号：
- EBE21UE8ACUA-8E-E
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
- 文档大小：
- 27页 / 262K
- 产品描述：
- 2GB DDR2 SDRAM SO-DIMM
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Obsolete
- 零件包装代码
- SODIMM
- 包装说明
- DIMM, DIMM200,24
- 针数
- 200
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.36
- 风险等级
- 5.84
- Is Samacsys
- N
- 访问模式
- DUAL BANK PAGE BURST
- 最长访问时间
- 0.4 ns
- 其他特性
- AUTO/SELF REFRESH
- 最大时钟频率 (fCLK)
- 400 MHz
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-XZMA-N200
- 内存密度
- 17179869184 bit
- 内存集成电路类型
- DDR DRAM MODULE
- 内存宽度
- 64
- 功能数量
- 1
- 端口数量
- 1
- 端子数量
- 200
- 字数
- 268435456 words
- 字数代码
- 256000000
- 工作模式
- SYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- 组织
- 256MX64
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- UNSPECIFIED
- 封装代码
- DIMM
- 封装等效代码
- DIMM200,24
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- MICROELECTRONIC ASSEMBLY
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 电源
- 1.8 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 刷新周期
- 8192
- 自我刷新
- YES
- 最大待机电流
- 0.16 A
- 子类别
- DRAMs
- 最大压摆率
- 3.04 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 1.9 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 1.7 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 1.8 V
- 表面贴装
- NO
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- OTHER
- 端子形式
- NO LEAD
- 端子节距
- 0.6 mm
- 端子位置
- ZIG-ZAG
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- Base Number Matches
- 1
