EBD11UD8ABFB-7A - ELPIDA MEMORY
- 型号：
- EBD11UD8ABFB-7A
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
- 文档大小：
- 19页 / 207K
- 产品描述：
- 1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- 零件包装代码
- DIMM
- 包装说明
- DIMM, DIMM184
- 针数
- 184
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.36
- 风险等级
- 5.92
- Is Samacsys
- N
- 访问模式
- DUAL BANK PAGE BURST
- 最长访问时间
- 0.75 ns
- 其他特性
- AUTO/SELF REFRESH
- 最大时钟频率 (fCLK)
- 133 MHz
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-XDMA-N184
- 内存密度
- 8589934592 bit
- 内存集成电路类型
- DDR DRAM MODULE
- 内存宽度
- 64
- 湿度敏感等级
- 1
- 功能数量
- 1
- 端口数量
- 1
- 端子数量
- 184
- 字数
- 134217728 words
- 字数代码
- 128000000
- 工作模式
- SYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 70 °C
- 最低工作温度
- 组织
- 128MX64
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- UNSPECIFIED
- 封装代码
- DIMM
- 封装等效代码
- DIMM184
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- MICROELECTRONIC ASSEMBLY
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 225
- 电源
- 2.5 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 刷新周期
- 8192
- 自我刷新
- YES
- 最大待机电流
- 0.048 A
- 子类别
- DRAMs
- 最大压摆率
- 4.32 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 2.7 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 2.3 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 2.5 V
- 表面贴装
- NO
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- COMMERCIAL
- 端子形式
- NO LEAD
- 端子节距
- 1.27 mm
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- Base Number Matches
- 1
