DMN2320UFB4-7B - DIODES INCORPORATED
- 型号：
- DMN2320UFB4-7B
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 7页 / 187K
- 产品描述：
- Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, X2-DFN1006-3, 3 PIN
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- 包装说明
- CHIP CARRIER, R-PBCC-N3
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- Factory Lead Time
- 15 weeks
- 风险等级
- 5.73
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 20 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 1 A
- 最大漏源导通电阻
- 0.32 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-30 代码
- R-PBCC-N3
- JESD-609代码
- e4
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- CHIP CARRIER
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 端子形式
- NO LEAD
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
相关文档
-
7页
-
6页
-
6页