是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | LEAD FREE, TSOP2-44 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.74 |
最长访问时间: | 45 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 18.415 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP44,.36,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.5/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.194 mm |
最大待机电流: | 0.000003 A | 最小待机电流: | 1.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.01 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.2 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
CY62127DV30LL-45ZSXI | CYPRESS | 1 Mb (64K x 16) Static RAM |
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CY62127DV30LL-45ZXI | CYPRESS | 1-Mb (64K x 16) Static RAM |
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CY62127DV30LL-55BVI | CYPRESS | 1 Mb (64K x 16) Static RAM |
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CY62127DV30LL-55BVXI | CYPRESS | 1 Mb (64K x 16) Static RAM |
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CY62127DV30LL-55BVXIT | CYPRESS | Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48 |
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CY62127DV30LL-55LFXI | CYPRESS | Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, 8 X 8 MM, LEAD FREE, QFN-56 |
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