CMKDM3590TR - CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- 型号：
- CMKDM3590TR
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 文档大小：
- 2页 / 711K
- 产品描述：
- Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Active
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- 风险等级
- 5.84
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 0.16 A
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- JESD-609代码
- e0
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 0.35 W
- 子类别
- FET General Purpose Power
- 表面贴装
- YES
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Base Number Matches
- 1
相关文档
-
2页
-
2页
-
2页