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C106M

更新时间： 2024-02-02 06:56:32

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TGS		栅极
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1页	57K
描述
Thyristors logic level

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C106M 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ANODE
标称电路换相断开时间：	40 µs	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	3 mA	JEDEC-95代码：	TO-202
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	110 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4 A
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	30 V
重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

C106M 数据手册

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

Product specification

Thyristors logic level

C106M

GENERAL DESCRIPTION

Passivated, sensitive gate thyristor in a plastic envelope,

intended for use in general purpose switching and phase

control applications. This device is intended to be

interfaced directly to microcontrollers, logic integrated

circuits and other low power gate trigger circuits

Parameter

Symbol

Max

Unit

Repetitive peak off-state

voltages

V_DRM

V_RRM

400

Average on-state current

RMS on-state current

I_T(AV)

2.5

4.0

I_T(RMS)

Non-repetitive peak

on-state current

I_TSM

Max. Operating Junction

Temperature

T_j

110

^oC

Storage Temperature

T_stg

-45~150

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max Unit

V_DRM

V_RRM

Repetitive peak off-state voltages

400

Average on-state current

RMS on-state current

I_T(AV)

half sine wave; T_mb< 103 ^oC

2.5

I_T(RMS)all conduction angles

4.0

1.23

0.1

On-state voltage

Holding current

V_T

I_T=5.0A

1.8

6.0

I_H

I_L

V_D=12 V; I_GT= 0.1 A

Latching current

0.17

Gate trigger current

Gate trigger voltage

I_GT

V_D=12 V; I_T= 0.1 A

200

1.5

V_GT

0.4

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