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BTS611L1E3128ABTMA1

更新时间： 2024-01-25 00:26:06
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动接口集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 312K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 2.3A, MOS, PSSO6, TO-220, 7/6 PIN

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BTS611L1E3128ABTMA1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.75Is Samacsys：N
其他特性：NOMINAL LOAD CURR FOR 2 CHA IS 4.4A; SEATED HGT-NOM; SEATED HGT-CALCULATED内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PSSO-G6
JESD-609代码：e3长度：9.9 mm
功能数量：2端子数量：6
输出电流流向：SINK标称输出峰值电流：2.3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
座面最大高度：4.6 mm最大供电电压：34 V
最小供电电压：5 V标称供电电压：12 V
表面贴装：YES技术：MOS
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：400 µs
接通时间：400 µs宽度：9.2 mm
Base Number Matches：1

BTS611L1E3128ABTMA1 数据手册

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®
PROFET  
BTS611L1  
Smart Two Channel Highside Power Switch  
Features  
Product Summary  
•
•
•
•
•
•
•
•
Overload protection  
Overvoltage protection Vbb(AZ)  
43  
V
Current limitation  
Short circuit protection  
Thermal shutdown  
Overvoltage protection (including load dump)  
Fast demagnetization of inductive loads  
V
5.0 ... 34 V  
both  
parallel  
Operating voltage  
bb(on)  
channels: each  
On-state resistance RON  
Load current (ISO) IL(ISO)  
200  
2.3  
4
100  
4.4  
4
mΩ  
A
1
)
Reverse battery protection  
Undervoltage and overvoltage shutdown with  
auto-restart and hysteresis  
Current limitation  
IL(SCr)  
A
•
•
•
•
•
Open drain diagnostic output  
Open load detection in ON-state  
CMOS compatible input  
Loss of ground and loss of V protection  
Electrostatic discharge (ESD) protection  
TO-220AB/7  
bb  
7
7
Application  
7
1
•
•
•
1
µC compatible power switch with diagnostic  
feedback for 12 V and 24 V DC grounded loads  
All types of resistive, inductive and capacitve  
loads  
1
Straight leads  
SMD  
Standard  
Replaces electromechanical relays, fuses and discrete circuits  
General Description  
N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic  
feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Providing embedded protective functions.  
+ V  
bb  
4
Current  
limit 1  
Gate 1  
Voltage  
source  
Overvoltage  
protection  
protection  
V
Logic  
OUT1  
Limit for  
Level shifter  
Rectifier 1  
Voltage  
sensor  
unclamped  
ind. loads 1  
1
7
Temperature  
sensor 1  
3
6
IN1  
IN2  
Charge  
pump 1  
Open load  
Short to Vbb  
detection 1  
Logic  
ESD  
Charge  
pump 2  
5
Gate 2  
protection  
ST  
Current  
limit 2  
OUT2  
R
Level shifter  
Rectifier 2  
Limit for  
unclamped  
ind. loads 2  
Load  
Temperature  
sensor 2  
Open load  
R
O1  
O2  
Short to Vbb  
GND  
detection 2  
GND  
PROFET  
2
Signal GND  
Load GND  
1)  
With external current limit (e.g. resistor R =150 Ω) in GND connection, resistor in series with ST  
GND  
connection, reverse load current limited by connected load.  
Semiconductor Group  
1 of 15  
2003-Oct-01  
1234567...15

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