BQ4010YMA-70N
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BQ4010YMA-70N - TEXAS INSTRUMENTS
型号:
BQ4010YMA-70N
品牌Logo:
品牌名称:
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
应用标签:
存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文档大小:
12页 / 747K
产品描述:
8Kx8 Nonvolatile SRAM
  • 参数详情
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
TEXAS INSTRUMENTS INC
包装说明
ROHS COMPLIANT, DIP-28
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.41
风险等级
5.79
Is Samacsys
N
最长访问时间
70 ns
JESD-30 代码
R-XDMA-T28
长度
37.72 mm
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
28
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
8KX8
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
9.53 mm
最大待机电流
0.004 A
子类别
SRAMs
最大压摆率
0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
18.415 mm
Base Number Matches
1

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