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BA423A113

更新时间: 2024-01-15 05:18:19
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
DIODE SILICON, MIXER DIODE, DO-34, Microwave Mixer Diode

BA423A113 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.82
Is Samacsys:N最小击穿电压:20 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最大二极管电容:2.5 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODE最大正向电压 (VF):0.9 V
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:50 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.1 µA表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BA423A113 数据手册

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