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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | Factory Lead Time： | 14 weeks |
| 风险等级： | 5.65 | 最长访问时间： | 120 ns |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T32 | 长度： | 42.2 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 5 V | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class C |
| 座面最大高度： | 5.72 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AT28C010-12EM/883 | MICROCHIP | IC EEPROM 1MBIT 120NS 32CLCC |
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| AT28C010-12EM/883 | ATMEL | 1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM |
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| AT28C010-12FC | ATMEL | EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-32 |
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| AT28C010-12FI | ATMEL | EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-32 |
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| AT28C010-12FM | ATMEL | EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-32 |
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| AT28C010-12FM/883 | ATMEL | 1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM |
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