AS4C16M16MD1-6BCN - ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION
- 型号：
- AS4C16M16MD1-6BCN
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 55页 / 6130K
- 产品描述：
- Programmable output buffer driver strength
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- 包装说明
- TFBGA,
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.24
- Factory Lead Time
- 8 weeks
- 风险等级
- 1.69
- 访问模式
- FOUR BANK PAGE BURST
- 最长访问时间
- 5 ns
- 其他特性
- AUTO/SELF REFRESH
- JESD-30 代码
- R-PBGA-B60
- 长度
- 9 mm
- 内存密度
- 268435456 bit
- 内存集成电路类型
- DDR DRAM
- 内存宽度
- 16
- 湿度敏感等级
- 3
- 功能数量
- 1
- 端口数量
- 1
- 端子数量
- 60
- 字数
- 16777216 words
- 字数代码
- 16000000
- 工作模式
- SYNCHRONOUS
- 组织
- 16MX16
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TFBGA
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 座面最大高度
- 1.025 mm
- 自我刷新
- YES
- 最大供电电压 (Vsup)
- 1.95 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 1.7 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 端子形式
- BALL
- 端子节距
- 0.8 mm
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 宽度
- 8 mm
- Base Number Matches
- 1
相关文档
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AS4C16M16S-5TCN
16MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5ns, PDSO54, 0.400 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOPII-54
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