AS29F200B-90SC - ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION
- 型号：
- AS29F200B-90SC
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 20页 / 357K
- 产品描述：
- 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
- 零件包装代码
- TSOP
- 包装说明
- 12 X 20 MM, TSOP-48
- 针数
- 48
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.51
- 风险等级
- 5.81
- 最长访问时间
- 90 ns
- 其他特性
- 10K WRITE/ERASE CYCLE ENDURANCE
- 备用内存宽度
- 8
- 启动块
- BOTTOM
- 命令用户界面
- YES
- 数据轮询
- YES
- 耐久性
- 10000 Write/Erase Cycles
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G48
- JESD-609代码
- e0
- 长度
- 18.4 mm
- 内存密度
- 2097152 bit
- 内存集成电路类型
- FLASH
- 内存宽度
- 16
- 功能数量
- 1
- 部门数/规模
- 1,2,1,3
- 端子数量
- 48
- 字数
- 131072 words
- 字数代码
- 128000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 128KX16
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TSOP1
- 封装等效代码
- TSSOP48,.8,20
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 240
- 电源
- 5 V
- 编程电压
- 5 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 就绪/忙碌
- YES
- 座面最大高度
- 1.2 mm
- 部门规模
- 16K,8K,32K,64K
- 最大待机电流
- 0.000001 A
- 子类别
- Flash Memories
- 最大压摆率
- 0.06 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 5.5 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 4.5 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 5 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 0.5 mm
- 端子位置
- DUAL
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 切换位
- YES
- 类型
- NOR TYPE
- 宽度
- 12 mm
相关文档
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AS29F200B-90SI
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
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