是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP32,.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.91 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 50 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 |
长度: | 41.7322 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 8 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 5.1308 mm |
部门规模: | 16K | 最大待机电流: | 0.0016 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
AS29F010CW-50/XT | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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AS29F010CW-6/883C | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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AS29F010CW-6/IT | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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AS29F010CW-6/Q | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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AS29F010CW-6/XT | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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AS29F010CW-60/883C | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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