AS29F010CW-120/883C
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AS29F010CW-120/883C - AUSTIN SEMICONDUCTOR
型号:
AS29F010CW-120/883C
品牌Logo:
品牌名称:
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
应用标签:
文档大小:
26页 / 521K
产品描述:
128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY
  • 参数详情
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP32,.6
针数
32
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A001.A.2.C
HTS代码
8542.32.00.51
风险等级
5.91
最长访问时间
120 ns
命令用户界面
YES
数据轮询
YES
耐久性
1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-CDIP-T32
长度
41.7322 mm
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
8
功能数量
1
部门数/规模
8
端子数量
32
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
128KX8
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP32,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
编程电压
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
MIL-STD-883
座面最大高度
5.1308 mm
部门规模
16K
最大待机电流
0.0016 A
子类别
Flash Memories
最大压摆率
0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
切换位
YES
类型
NOR TYPE
宽度
15.24 mm
Base Number Matches
1

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